產品詳情
自20世紀中葉以來，半導體已用于溫度計，并參與了一些#先金的物理實驗和發(fā)現(xiàn)。他們幫助發(fā)現(xiàn)了輻射引起的損害的機制，并確定了許多核物理原理。
基于半導體的小型智能溫度計利用新穎的材料和新的工藝來代替笨重且昂貴的常規(guī)溫度計。這些用于多種應用，包括導航系統(tǒng)，光學設備，運動溫度計以及健康監(jiān)視器。
雙金屬溫度計簡介
溫度計檢測事件或因素的變化并以輸出響應。所測量的現(xiàn)象可以是化學的，電氣的，機械的，輻射的，磁性的或熱的。
溫度計拾取信號并將其傳遞到修改器，即溫度計測量系統(tǒng)的地衣部分。這會將修改后的信號傳輸到輸出溫度計。輸出換能器以輸出形式發(fā)出#終信號。輸出通常是電信號。
大多數溫度計使用半導體進行操作，因此被稱為雙金屬溫度計。#常用于半導體的材料包括硅和第III至V組的其他成員。這是因為它們容易獲得，易于使用，具有所需的物理特性并且具有成本效益。
在這些材料中，硅的使用已取得了巨大的進步，從而允許制造直徑小于微米的微型硅電路。此外，批量生產技術允許以低成本同時推出眾多溫度計。
現(xiàn)代半導體的使用基于具有不同二維圖案的堆疊層。被組裝以產生3D裝置。這些可以通過表面微加工或通過本體微加工來制造。溫度計制造中的基本步驟包括沉積，光刻和蝕刻。
雙金屬溫度計的基本設計是什么？
半導體通常用于檢測各種帶電粒子和光子。它們的檢測能力基于電離的發(fā)生，其應用范圍很廣。
晶體性質是半導體的特征，因為晶格對稱性是其行為的基礎。原子顯示存在電子能帶，在價帶和導帶之間存在能隙。
可以通過在周期表中位于其附近的n型施主原子或p型受體原子引入（摻雜）雜質，它們分別具有過量的移動電子和空穴。摻雜物提供的淺摻雜水平在300 K左右電離。大多數雙金屬溫度計的基礎是pn二極管和MOS電容器。
當兩個晶體管以不同但不變的集電極電流密度使用時，產生的基極-發(fā)射極電壓是不同的。差異基于晶體管的覺對溫度，并轉換為電流或電壓。#終將其轉換為攝氏或華氏度。
基于半導體的溫度溫度計或集成電路（IC）溫度溫度計具有反向偏置功能，具有小電容和低泄漏電流。它們形成在硅薄晶片上。它們結構緊湊，可產生線性輸出，并且溫度范圍較小。它們還具有低成本并且在校準之后是準確的。但是，它們不容易互換。
半導體溫度溫度計的類型很多，分為五類：
電壓輸出-線性輸出，低輸出阻抗。
電流輸出-恒流調節(jié)器顯示高阻抗。
數字輸出 -溫度計和模數轉換器都集成在一個芯片上，通常專用于微處理器芯片而不是測量設備。
電阻輸出 -利用半導體的溫度與體積電阻特性來提供更穩(wěn)定的溫度計，但可能會變熱，這很危險。
簡單的二極管 -#便宜，但需要兩點校準和穩(wěn)定的電流輸入才能獲得良好的結果
與許多其他類型的溫度溫度計相比，這些溫度計在電氣和機械方面都更加脆弱，因此#適合在嵌入式應用中使用。
半導體溫度溫度計非常敏感，但是由于通常將它們封裝在標準外殼中以便嵌入到應用中，因此溫度的精que測量可能會受到影響。此外，互換性精度也低于標準桿。校準為兩點或三點校準可以提高精度，尤其是在溫度范圍有限以及溫度變化較小的情況下。
雙金屬溫度計是如何制造的？
半導體探測器
硅微帶由于其提供的高分辨率和效率而廣泛用于粒子物理實驗。它們經久耐用且價格便宜，磁效應小。存在于一對電極之間的檢測器材料受到輻射的影響，釋放出可變數量的電荷載流子。這有助于測量入射在帶材上的電離輻射。
先金的探測器將通過其α，β和γ性質以及激活分析來幫助分析輻射的類型。
光學溫度計
硅二極管還用作望遠鏡和衛(wèi)星，X射線檢測器或光電二極管中的光學溫度計，以檢測閃爍。
壓力溫度計
半導體壓力溫度計有以下四個種類：
覺對壓力溫度計
壓差溫度計
表壓溫度計
負壓溫度計
氣體溫度計
半導體氣體溫度計將物理化學性質的變化轉換為電流信號，該電流信號由傳感設備獲取。
它們具有良好的靈敏度，快速響應，長期穩(wěn)定并且可以集成到用于氣體傳感的設備中。然而，一個缺點是它們對共享例如相同還原性質或可燃性質的氣體不具有特異性。
關注我們 實現(xiàn)共贏